右がレトロ、左がモダンです。
モダンのほうの内部をお見せしましょう。
レトロのほうはプリにするか、プリメインにするか検討中です。
レトロな外観のアンプ
右がレトロ、左がモダンです。
モダンのほうの内部をお見せしましょう。
レトロのほうはプリにするか、プリメインにするか検討中です。
プリメインにしました。
ここまで進みました。ＬＥＤインジケーターもうまく動作しました。イコライザー
を搭載するか、回路はどうするかは未定です。
回路が簡単になるので、終段はＦＥＴにすることは決まりですが、日立か東芝
か迷っているところです。
小型の放熱器があれば、どちらの石も採用可能になりそうです。
結局、温度特性などから日立の石にしました。
今回はＫ３０Ａをゼロバイアス近辺で使ってみました。
Ｋ３０Ａをゼロバイアスで使う
２Ｎ５４６５の定電流回路は金田流ですが、繊細にきれこむ音が得られます。
2段目は普通は肩特性のシャープな２ＳＡ６０６、２ＳＣ９５９などを使いますが、
まだ豊富に手に入るＭＯＳにしました。Ｊ−ＦＥＴより雑音的に不利といわれていま
すが、作って聴いてみることにしました。
ダイレクトに終段をドライブし、しかもゲートに直列にいれる抵抗を省略していま
す。普通はゲートの負性抵抗をキャンセルするためにいれますが、ドライブ段の出力
インピーダンスが高ければ必要無い気がします。
終段のソース抵抗なしは、この石ならではの荒業ですが自作ではよく行われ
るようです。音質的には相当メリットがあります。
2段目の出力インピーダンスが帰還後も高いかどうかは検討が必要ですが、
シミュレーターでできるでしょうか。
できました。
ＭＯＳ−ＦＥＴ出力段のアンプは超微粒子で散乱する音場の広いサウンドが
得られやすいことが経験上言えますが、シミュレーターで特性を見てみました。
パワートランジスターの周波数特性
パワーＭＯＳ−ＦＥＴの周波数特性
ＭＯＳの方が周波数特性が桁違いに良く、位相特性も素直なのが読み取れます。
使ってみると思いのほか放熱器が熱いので、アイドリングをしぼることにしました。
0.6V以下にする必要があるため、ゲルマニウムトランジスタのマルチプライヤー方式
を採用しました。
これによりアイドリング電流を５mAまでしぼることに成功しました。
超高域の様子をみるためシミュレーターで書いてみました。
素子はかなり違っていますが、特性はほぼ同等となると思います。
オープンループ特性
クローズド特性
