回路の錬金術パート３

　　抵抗２本でＭＯＳ−ＦＥＴをＶ−ＦＥＴ特性にする方法です。



　　静特性はこのようにして調べます。





　　参考　帰還前


　　比較

　　　　ｇｍはあまり変わらないですが、負荷線が引きにくくなっています。

　　この素子の形は使いにくいのですが、単段アンプにすると問題なく使えます。




　　出力インピーダンスの調べ方






　　参考　無帰還

　　この構成のアンプは実際に作ってみました。音はＮＦＢをかけたＭＯＳ−ＦＥＴアンプの音でした。（あたりまえか）

　　錬金術のまとめ

　　１　ＮＦＢを使ってＶ−ＦＥＴ特性にしても、元がＭＯＳ−ＦＥＴならばＭＯＳ−ＦＥＴの音がする。

　　２　Ｖ−ＦＥＴの音の特徴は直線性のよさからくるものである。

　　３　中信号Ｖ−ＦＥＴとバイポーラの組み合わせは直線性が優れており、Ｖ−ＦＥＴの音の特徴を受け継ぐが、
　　　　若干バイポーラの味もある。

　　４　中信号Ｖ−ＦＥＴとＭＯＳ−ＦＥＴの組み合わせはＦＥＴ同士であり、ＭＯＳ−ＦＥＴの直線性の悪さは改善される。
　　　　音がどうなるのかはまだなんとも言えない。