回路の錬金術パート２

　　長年の研究の結果とうとうMOS-FETからV-FETをつくる方法を見出した。V-FETはトレジュアＦＥＴといわれ、
その道のものが捜し求めているが、なかなか現物にはお目にかかれないしろものである。

　　思えば苦難の連続であった。抵抗２本でできやしないかと思いカーブトレーサーで実験するが思うようなデータ
は得られない。ＰＧ帰還も検討したが、インピーダンスが低くなりすぎる。ゲイン１ではどうしようもない。

　　バイポーラトランジスタなら腐るほどあるのに、なんでパワーＶ−ＦＥＴが手に入らないのか。そういう想いから
生み出されたのが、

　　Toshiba A1941 becomes V-FET

という方法である。入手可能な中信号V-FETを用いている。

　　今回MOS-ＦＥＴとの組み合わせで同等の結果を得る方法を考案した。

　　これがその原理

１２ＡＸ７を中信号Ｖ−ＦＥＴにみたててある。




　　これはＰｃｈ　ＭＯＳ−ＦＥＴを使っているので、いわゆるＰＧ帰還とは違う方法である。一言で言えば、ＭＯＳ−ＦＥＴ
のゲートソース間を準電流ドライブしているということになる。電流ドライブすればよく知られているように電流出力になる
わけである。

Rgs＝３００Ωにして特性を調べてみた。



　　十分な特性である。ｇｍ＝２０Ｓに達している。A級シングルアンプならばアンプはもう完成していると言える。

　　SEPPアンプはできるかどうかまだわからない。



　　なるほど見れば見るほど不思議な回路である。完全対称アンプをわざわざインバーティッド
ダーリントンで構成し、ドライバーにV-FETを用いる・・・。そう簡単に思いつくものではないだろう。

　と思ったら、すでにシミュレーションノート＃４９で考えていた。

　V-FETアンプをシミュレートする

　　これはＶ−ＦＥＴアンプの動作・結線確認のために行ったらしい。

　どう考えてもここへ行き着いてしまうようだ。

　　この方式ではバイアスの与え方が３種類あるが、もっとも簡便なのがこの方法である。

Ａ級シングルアンプ

　　こちらはこのままで動作しそうである。


　　ＳＥＰＰの方を作ってみようと思う。長年の疑問に決着がつくかもしれない。

　　作ってみた。一年以上経過したが。









　　音はＶ−ＦＥＴといって良いような音がしている。二次歪が出放題だが選別すれば何とかなりそう。

　　素子を選別しパーツを交換する日々が続いた。

　Ｊ７６の選別


　　Ｋ７９の選別


　　Ｊ１１５の選別

　　結果



　　見事に直線になったが、特性はそんなには変わらない。音も同じだがＭＯＳとは思えないほどの抜けのよさがある。
音質はＴＡ４６５０とＪ１８完全対称の中間くらいに位置する（のではないか？）。

　　最後にちょっとどんでん返しがあったがこれで長年の疑問は解けた。

　　本命のＪ４８を組み込む。こうして聴きくらべるとＪ４８のほうが求めている音に近いことがわかる。Ｊ１１５は余計な音が
多く、パサパサした感じがする。

　　これが完成したスケルトン５。期待にたがわずいい味をだしている。



　　ＭＯＳからＭＯＳくささを取り除けばＶになるという仮説がだいたいにおいて成り立っていることを示す実証機である。

　　実験に必要な部品。いまなら大枚をはたかなくても入手できる。