特性はＶ−ＦＥＴで、素子はＶ−ＦＥＴとバイポーラ。
やはりＶ−ＦＥＴの音がする。
Ｋ６０のｇｍが０．２５とするとこれは1.7に相当する。
パワーアンプに限っての経験則では、直線素子での増幅では音の重ねあわせの法則が成り立ち、
聴いていてそれがわかる。
帰還量はごくわずか。素子の特性だけでこれだけ低ひずみになるのは、Ｈｉ−ｇｍのＶ−ＦＥＴの他
にはない。
バイアスの深さも大体わかったので、ＳＥＰＰアンプも視野に入ってきた。
これはすごいものになるかもしれない。
うまく動作している。
この場合は出力段の対称性が保たれている。なぜそうなるかについては、
シミュレーションノート Ｎｏ．１４８ を参照してください。