ダイアモンドバッファとhFE

　　hFEが違うと何が変わるのだろうか？シミュレーターで追ってゆく。

　　まず入力インピーダンスを調べる。２段目を削除して簡略化してある。


　　ＤＣ解析で入力を-0.5V〜0.5Vに振ってエミッタ電流を見る。

　　ベース電流も見る。





　　これで ｈＦＥが可視化された。マイナス側も調べておく。

　　全体ではこのようになる。





　　このダイアモンドバッファを負荷としてみた場合２２２ｋΩになるということだ。

　　２段目を加える。






　　２００ｋΩということになる。

　　電流出力にバッファがつながれた場合hFEの違いは負荷抵抗の違いになるので、
ゲインに効いてくる。

　　gm=3.5mSの電圧増幅段

　　gmはこのようにして見る。

　　負荷をつないで見る。





　　ゲインは３４８倍となった。負荷が２００ｋΩにしては小さすぎる。

　　抵抗負荷でみると同じくらいになっている。

　　J-FETの小信号領域ではgmが小さくなっている。そのことを確認する。

　　オペアンプにつながれた場合、ゲインは確定しているためゲインには利かないで最大出力
電圧と歪率に利いてくる。





　　これについては追ってゆくのが大変なので省略するが下図をみていただくとわかるように
２００ｋΩレベルで１０％くらいの変動では影響はないかもしれない。歪率についても影響なさそう
に感じる。