トランスリニアバイアス出力段の歪み特性

　　このように設定する。



　　Ｖｂｅを変化させたとき


　　ノーマル出力段

Ｖｂｅを変化させたとき

　　奇数次歪みは抑制されている。スイッチング歪みが無くなるのだろうか？ちょっと謎である。

　　参考　ノーマル出力段の実測特性

　　カレントミラーの考え方で検出部をエミッタ側に持ってくるとこうなる。何故上條氏が突然ＭＯＳにしたのかはこれまた
謎ではある。この回路、部品は減るけれどアンプを作る者としてはちょっといやですよね。






　　動作している。

　　歪み測定ではLine too long Errorとなりデータは取れなかったが実測では可能だろう。