抵抗負荷
ゲインは約２０倍
ブートストラップ
ゲインは６０倍。歪んでおり正帰還を示唆している。
電圧を見る。
抵抗の分だけ電圧降下が違っている。
ブートストラップの場合
ほぼ平行に動いているが、下のほうがおそらく１．１ｋの電圧降下分だけ
レベルが大きい。
抵抗を流れる電流を見る。
電圧源に関係無くＡとＣはほとんど同じになる。
定電流負荷
歪も少ないしゲインもはるかに大きい。おそらくブートストラップと
これとは別物だろう。
アルゴリズムで考えてみた。
ゲインが同じになるように減衰度を調整した。
これが考察
