ゲルマ研究事始　　

　　未知の素子を研究する方法は、金田氏のスーパーサーキット講座
に詳しく書かれています。それを参考にしつつゲルマニウムトランジスタ
について研究してゆきたいと思います。



§１　Vbe-Ic特性

　　測定しました。


　　このような定電圧特性の素子を増幅に使おうとした人たちは、
たわけものに違い有りません。

参考

三洋２ＳＤ１８６ 　構造Ge-A 　EIAJ　標準外形 ＴＣ−１
最大定格:
Vcbo:２５Ｖ
Vebo:１２Ｖ
Ic:150mA
Pc:200mW
Tj:８５℃
Icbo:１５ﾏｲｸﾛＡ（Vcb=20V)
hfe：１２０
ft：１MHz
Cob：６０PF

備考：２ＳＢ１８７とコンプリメンタリ

　§２　電流帰還による直線性の改善

　　　エミッタ抵抗１００Ωをいれてみましょう。

　　　実測しなくても、ＩｃとVbgｒndの関係は上のデータから簡単に推測できます。



　　同じＩｃの時のVbeとVreがそれぞれ図上で求まりますから、それらを
足したものをプロットしてゆきます。

§３　実回路



　　Ｄ１８６の肩特性が不明なのと、耐圧が低いことをカスコードで
解決します。素のゲルマの味わいを生かすにはもっと低い電圧の
アンプにしなくてはいけません。

　　この回路は無帰還、ＺＤＲ、ＮＦＢのどれでも取ることのできる
構えです。

　　定数を上記のように決定しました。



　プリにいれて音を聴くと無帰還のせいかＺＤＲプリと感じが似ています。

　§４　hFEの測定

　　差動アンプを構成するためにはペア組みが必要なので、測定しておきます。



　　V=10*Ib

　　hFE*Ib=Ic=6.15 mA

　　より求めます。

§５　　差動アンプ



　　ゲイン　１．４６倍

　　相互コンダクタンスは１．２ｍＳに相当します。

　　電流は結構ふらふら動きます。このままではパワーアンプに使えない
でしょう。

§６　パワートランジスタ

　　まず全数のhFEを測定し、そのうちの一つについて安定度を見ます。



　　　Ｉｃ＝ｈＦＥ＊Ｉｂ



　　　うまくまとまっています。

　　安定度をみると、Ic=250mAで一応安定するようです。しかし、350mA
にしようとすると、そのまま増加し1Aを越えてゆこうとするので無理のよう
です。

動作例
　　hFE=80のもので、
　　　　　　Ic=240mA 　　Ib=1.5mA 　hFE=160

参考

２ＳＢ３３７

製造 ：日立製作所
構造 ：ゲルマニウム合金接合型

ＶCBO：４０Ｖ
ＶCER：３０Ｖ
Ｉc ：７Ａ
Ｐc ：３０Ｗ（ 但しＴcは５５℃以内 ）
hFE ：９０（ Ic＝１Ａ ）
ｆＴ ：３００KHz



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