ゲルマ研究事始
未知の素子を研究する方法は、金田氏のスーパーサーキット講座
に詳しく書かれています。それを参考にしつつゲルマニウムトランジスタ
について研究してゆきたいと思います。
§1 Vbe-Ic特性
測定しました。
このような定電圧特性の素子を増幅に使おうとした人たちは、
たわけものに違い有りません。
参考
三洋2SD186 構造Ge-A EIAJ 標準外形
TC−1
最大定格:
Vcbo:25V
Vebo:12V
Ic:150mA
Pc:200mW
Tj:85℃
Icbo:15マイクロA(Vcb=20V)
hfe:120
ft:1MHz
Cob:60PF
備考:2SB187とコンプリメンタリ
§2 電流帰還による直線性の改善
エミッタ抵抗100Ωをいれてみましょう。
実測しなくても、IcとVbgrndの関係は上のデータから簡単に推測できます。
同じIcの時のVbeとVreがそれぞれ図上で求まりますから、それらを
足したものをプロットしてゆきます。
§3 実回路
D186の肩特性が不明なのと、耐圧が低いことをカスコードで
解決します。素のゲルマの味わいを生かすにはもっと低い電圧の
アンプにしなくてはいけません。
この回路は無帰還、ZDR、NFBのどれでも取ることのできる
構えです。
定数を上記のように決定しました。
プリにいれて音を聴くと無帰還のせいかZDRプリと感じが似ています。
§4 hFEの測定
差動アンプを構成するためにはペア組みが必要なので、測定しておきます。
V=10*Ib
hFE*Ib=Ic=6.15 mA
より求めます。
§5 差動アンプ
ゲイン 1.46倍
相互コンダクタンスは1.2mSに相当します。
電流は結構ふらふら動きます。このままではパワーアンプに使えない
でしょう。
§6 パワートランジスタ
まず全数のhFEを測定し、そのうちの一つについて安定度を見ます。
Ic=hFE*Ib
うまくまとまっています。
安定度をみると、Ic=250mAで一応安定するようです。しかし、350mA
にしようとすると、そのまま増加し1Aを越えてゆこうとするので無理のよう
です。
動作例
hFE=80のもので、
Ic=240mA Ib=1.5mA hFE=160
参考
2SB337
製造 :日立製作所
構造 :ゲルマニウム合金接合型
VCBO:40V
VCER:30V
Ic :7A
Pc :30W( 但しTcは55℃以内 )
hFE :90( Ic=1A )
fT :300KHz
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