１）バイポーラトランジスタ
現在のシリコントランジスタは雑音特性、周波数特性など初期のものとくらべて
文句のつけ様がないくらいすぐれた特性をもっています。しかも値段が安い。（１本
１０円から３０円）
不満な点があるとすると、音がすっきりしすぎて物足りないことくらいでしょう。
２）J-FET
登場したころは、高周波特性がとびぬけて良いことから、チューナーのフロントエンド
に１石で使われていました。（ソニーのIC 11というラジオがそう）いまでは価格もさがり、
１本数１０円なので、オールＦＥＴアンプも製作可能になっています。
３）Ｖ−ＦＥＴ
夢の素子FETでパワー段ができたら素晴らしいだろうという思いを日本の技術で可能に
したものです。ヤマハのＢ１がそれで、素晴らしい特性を持ち、未体験の音がでていたもの
と思われます。
４）ＭＯＳ−ＦＥＴ
日立の技術陣が素子の開発からアンプの設計まで手がけた記念碑的なアンプが、
ＨＭＡ−９５００です。Ｖ−ＦＥＴの弱点を見事に解消し、特性も素晴らしい素子が開発
されました。その後ラムダコンが入ったＨＭＡ−９５００ＩＩとなり、名機として君臨しました。
ＭＯＳ−ＦＥＴはその後も本命として発展を続けています。
５）ゲルマニウムトランジスタ
真空管とトランジスタがまだ両方使われた時代にパワー素子が登場しましたが、
高価で壊れやすく、シリコントランジスタが登場するとすぐ消えてしまいました。
しかしいまでは音質的に面白いという人もいて、ものさえあれば完全対称回路で復活
させてみたいところです。
バイアスは適正なアイドリング電流を流すために必要
Ｃ１７７５Ａでバイアスをかける方法は、この前やったばかりですが、これは自己
バイアスと呼ばれている掛けかたです。
Ｖｂに２Ｖかけると、電流が勝手に流れてＶｂｅが約０．６Ｖになってくれます。
これはバイアスの自動調整機能なので、自己バイアスと呼んでいます。
さっきと話が違うって？実はこちらのほうが実情に近いのです。Ｖｂｅは常に
一定ではなくて、コレクタ電流によりわずかに変化するのです。
Ｖｂ＝Ｖｂｅ＋Ｖｅ
Ｖｂで示した点に２Ｖかけると、最初のコレクタ電流が０の状態では、Ｖｅは０Ｖ。よ
ってＶｂｅは２Ｖとなりコレクタ電流は数アンペア流れようとしますが、電流が流れた
瞬間にエミッタ抵抗の電圧降下によりＶｅがあがり、Ｖｂｅが減少することからコレクタ
電流は急速に減少します。そして実際はちょうどよい電流のところで安定するのです。
このことをエミッタ抵抗により電流帰還がかかったというふうに呼んだりします。
これらのことを視覚的に理解するにはこのようにします。まずトランジスタの特性図を
見ると、
（本物がないので模式図です。正確な図は日立半導体のホームページを参照し
てください。）
室温２５℃、Ｖｃｃ＝１２Ｖ
Ｃ１７７５Ａはバイアス電圧が0.48Vから電流が立ち上がり、ほぼ指数関数
の曲線となります。
次に、Ｖｂｅと直列に抵抗がはいることから、３５０Ωの抵抗の特性図を書き入れ
ます。電圧の和が一定なことよりどちらかを左右反転させて書くことにします。
両者の交点がバランスする電流値です。
（1.35 : 3.8 ≒ 2 : 5.7）
解説終わり