広帯域電圧増幅段SiC MOSアンプ　

一台目が上手くいったので次の製作に入る。
使っていない基板をリサイクルする。


取り外した部品もリサイクルする。




シャーシはA5シリーズのものを使う。ロームの石が載っている。





規格が合うかどうか確認する。



規格は二種類あるのでうっかりすると合わないことがある。今回は高耐圧のDualgate MOSを見つけたので
ドライバー段に採用する。

日立の3SK85を採用する。これに4.7Vのツェナーをシリーズに入れればほぼ対応できる。



回路図と基板図





半分組み上がったので特性を調べておく。

完成写真




試聴






ドライバー段付きでしかもダイナミックレンジが広く混変調歪みの少ないDualgate MOSである。
高域もいいが低域がしっかりしている。かなりのものである。