SiC MOS-FETプリメインアンプ　

これも長い間構想を練っていたがやっと形になってきた。A6のシャーシを用いる。

シミュレーターでは動作したが現物がどうなるかはまだ謎である。

　回路図と基板図

　　今回から５ピン端子を採用した。

基板の電源周りまで作る。

シャーシに収まるかどうか確認する。

LEDの点灯テスト

SiC MOS のアンプは音がクッキリハッキリ出る割にはシンバルなどがハイ落ちに聴こえる。原因はドライバー段
にあるような気がしているのである。

Sic MOSはロームのものでも外国のものでもほとんど同じである。温度係数が正なので10kΩのサーミスタが貼り
付けてある。今回はサーミスタに端子に2ピン割り当てた。

電圧増幅段を調整しているところ。330Ωに終段のバイアス電圧を発生させている。

この後終段を接続して挙動を見たところ上手くいかなかった。バイアスを上げていっても終段のドレイン電流
が増加しなかった。おそらく発振である。

信号が通過するかどうかを見たが、高歪み、低出力のパターンだった。信号経路は正しく作られていると思う。

次にやる事は高周波トランジスタのC4703を取り外してチェックし、C1775Aあたりを試してみる事だ。三歩後退して
一歩進む感じである。

万事窮すだったが330pの位相補正を入れてみたら3.5Vのバイアス電圧が復活した。今は2.7Vになっている。

DCメカの状態で終段を入れたところ。8mA流れている。

NFBをかけてDCアンプにしたところ。アイドリング39mA、オフセット7.8mVになっている。

測定した。

低出力ながら正常動作しているのがわかる。