HEMTプリアンプ

High Electron Mobility Transistor 高電子移動度トランジスタ （HEMT）は富士通発の新素子である。
マイクロ波の機器に適している。低周波アンプを作るのは少々無謀な気もするが音を聴いてみたい。





この特性図から伝達特性をプロットした。

これはGaAs MES FETと同じである。つまり同じようなバイアスで電源を1.5V低く設定すれば良いのではないだろうか。

回路図と基板図を示す。

動作したところを示す。オフセット4.7mV、アイドリング3.5mA。なんとか上手くいったようだ。




特性も取ることができた。安定性は良い。



両ch完成し調整もできた。早速試聴する。

バイポーラと比べるとキメが細かいのがわかる。物凄いものが出来たのでは無いだろうか。割と作りやすいことがわかった。
高域は癖が全く無く、低域はパワフルである。デジタル録音の『バリ島のガムラン＆ケチャ』（ノンサッチ・エクスプローラー50）
を聴くと蜜のように甘い。

完成写真