HBTプリアンプ

　　ＨＢＴとはHetero Jnction Bipolar Transistorの略で、シリコンとゲルマニウムでできているトランジスターである。





このような回路になる。




　　組んでみると動作した。オフセット9.2mV、アイドリング13.2mAになっている。




　特性もとることができた。

もう片方のchが出来たので動作を確認後特性を調べる。何故かノイズレベルが高い。


オフセットは優秀。両chDCアンプ化した。




アイドリングは上下で差がある。



SITアンプとFE103solフルレンジで試聴する。すでになかなか良い。エージングすると素晴らしいものになるだろう。

試聴を続けているが、高域に切れ込みもあるし特にノイズが多いという事もない。特性を取り直した。

今回のプリアンプ3部作の中でも優秀な方である。前回測定時の特性が悪かったのは、最大出力を欲張ったのが
原因の一つだろう。

完成写真