Dualgate MOS FET プリアンプ III

　　積みプラが全部できたので、電子工作を開始する。部品の足りない分はこれから通販で入手する事になる。



今回用意したのはHEN110412Bである。少し高さが高い。

マイクロUSBの電源入力端子から組み立てる。

次に信号入出力端子を取り付ける。アース端子は無くても良いが有ると入出力の区別がつく。






　前面パネルの穴あけをしシャーシが完成

最初に電源部を完成させる。電源スイッチの動作と、ちゃんと±6Vが現れるかどうかを確認する。

大きい部品の取り付け




基板図通りに銅線を配置して行く。絶縁型DCDCコンバーターを使うが、5V入力で12Vが現れるものがいくつかある。
1W級のMAU108をまず載せてみたが、電流が足りない場合はいつも使う3W級のものも用意してあるので載せ替える。



LEDが点灯し、電源電圧が現れた。

　　回路図と基板図を示す。

初段はJーFETの差動アンプで今回は2SK246を採用した。無ければ大抵のもので代替できるだろうと思う。
初段を組み込んだところ




初段の電流値が予定通り1mAになった。




二段目も0.8mAになった。2SJ104を採用した。どちらのFETもIDSSが２.5?4mAのものが良いと思う。

JーFETの入手先は若松通商か秋月電子になると思う。当分は大丈夫である。

次は終段を組み込んで動作を確認するところまでだが、入手可能なDualgate MOS FETをテストする。

入手可能なものとしては東芝の3SK291がある。




G2入力の方が良さそうだ。

さらにG1はドレインと直結する。五極管の三極管結合と同じ仕組みである。

こんな風にチップをDIP化する。秋月電子の両面スルーホール基板を活用する。

選別はアンプ基板を利用してVgs対Idを見て行く。二個作ったがソース抵抗が大きいためかバラツキは全くない。








NFBをかけて位相補正しDCアンプの状態である。




アイドリング7.5mA、DCオフセット3.4mVである。思ったより順調に進んでいる。

この段階で特性を調べておく。








これでいいかなと思ったが、電源が弱い事が判明したのでDCーDCコンバーターを3W級のものに変更する。
ＭＣＷ０３−０５Ｓ１２のピン配置はこうなっている。わずかな変更で済みそうである。

図面を書きなおした。




測定結果




完成写真








音はこれから聴いてゆく。