ＧａＮ　ＦＥＴ　パワーアンプ３

プラットフォームをCAー3に移して完成を目指す事になる。




K180とJ18で成功した回路（非常に安定していていい音）で作ってみる。完成したらSic MOSで運用して問題がなければ
GaN FETに置き換える。VgsはSic MOSが3.2V、GaN が4.2V、IGBTが5.2V位になる。うまくいく保証は無い。






まだ目標の前段階に過ぎないがSic MOSパワーアンプが完成した。





オフセットを確認して朝から鳴らして見た。小音量ではボケボケのイマイチな音なので電源電圧のせいと思っていたら
夕方から雲が晴れたようにクリアーになった。熱暴走の気配は全くない。Sic MOSもなかなかいける。

まだまだSiC MOSで検討を続ける。今度はパスコンにuΣ0.68μを投入した基板を追加で作った。















回路としては2003年頃の金田式パワーアンプに近い。現在メインシステムでエージングを進めている。
透明な音になってきているがSITアンプがナチュラルな音とするとこちらはクリスタルのような音である。

雌伏3ヶ月、金田式過電流保護回路が出来上がったのでCA3に組み込んで動作テストを始めた。
ヘッドホンで聴くGaN MOSの爽やかな音は久しぶりだ。



　　これが金田式過電流保護回路





　　シミュレーターで動作をみるとこのようになる。





　

　　どころが次の日の朝いきなり保護回路が作動した。既に10回くらい正常に起動していたので朝の低温が原因にほぼ間違いない。

石の生死を確認すると上側がショートモードで飛んでいた。今までなら上下同時に昇天していたので金田式の御利益とも言える。
ソース電流を観察していると昼間でも起動時に200mA以上流れるのを確認しているのでこれはGaNの特徴と言える。代わりの石
を入れて鳴らしてみる。スピーカーも無事だった。これも金田式保護回路のおかげである。

この様なヘアドライヤーを買ってきて次からは起動時にサーミスタを暖める事にした。

ＧａＮ　ＦＥＴ　パワーアンプ４ の遅延回路をこちらにも採用する。





　　その後は事故は起こっていない。